Новейшая память Samsung по технологии 1d нм будет готова уже в сентябре 2026
Samsung Electronics рассчитывает уже в сентябре 2026 года первой завершить разработку DRAM-памяти по технологическому процессу 1d нм.
Компания намерена обойти SK hynix в следующем поколении оперативной памяти и подготовить основу для HBM5E
В декабре Samsung начнет перевод технологии на этап подготовки массового производства. Строительство производственных линий должно стартовать в первой половине 2027 года, а первые серийные микросхемы компания рассчитывает выпустить к концу следующего года.
Гонка особенно важна для Samsung после того, как SK hynix первой в отрасли завершила разработку DRAM по нормам 1c нм. Теперь Samsung рассчитывает вернуть себе технологическое лидерство уже на следующем этапе — 1d нм.
Источник изображения: Samsung/ithome
Новая память также имеет стратегическое значение для рынка ускорителей искусственного интеллекта. Samsung планирует использовать 1d-нм DRAM в памяти HBM5E. Более раннее освоение базовой технологии может дать компании преимущество при разработке следующих поколений высокоскоростной памяти для ИИ-ускорителей.
У SK hynix разработка 1d-нм DRAM пока находится на этапе повышения выхода годных чипов в ходе испытаний. Завершить разработку компания рассчитывает в декабре 2026 года.