Maxscend переходит от радиочастотных чипов к оптическим для ИИ-центров обработки данных

Китайский производитель завершает квалификацию собственной кремниевой фотоники и наращивает производство на 12-дюймовой линии мощностью около 9000 SOI-пластин в месяц

В Maxscend объясняют выход в новую область долгосрочным анализом отрасли и сильной синергией с основным радиочастотным бизнесом.

Технологически и оптические соединения, и радиочастотные компоненты относятся к высокочастотному высокоскоростному домену. Собственная платформа Maxscend включает специализированные процессы SOI и SiGe, что позволяет переносить и переиспользовать ключевые технические компетенции. Компания отмечает мощные возможности серийного производства SiGe и завершение финальной заморозки проектных норм кремниевой фотоники: специализированные процессы SOI и SiGe на 12-дюймовой линии имеют общую технологическую логику.

Источник изображения: сгенерировано Nano Banana

12-дюймовая линия сейчас располагает мощностью около 9000 SOI-пластин в месяц, с постепенной корректировкой оборудования и мощностей по мере выхода новых продуктов.

Помимо оптических соединений, Maxscend развивает BCD-технологию управления питанием как ключевое направление для ИИ-центров обработки данных и новых рынков. Эти новые векторы — оптические чипы, электрические чипы и высокопроизводительное управление питанием — будут развиваться параллельно с основным радиочастотным направлением.

Расширение опирается на существующие процессные платформы, а не является слепым кросс-отраслевым разворотом. С точки зрения индустрии, рост вычислительных мощностей ИИ стимулирует спрос на высокоскоростные межузловые соединения, что подталкивает производителей чипов к выходу в оптические коммуникации и специализированные литейные процессы.