Samsung хочет поставить HBM прямо над процессором — компания показала путь к 3D-памяти zHBM
Samsung представила на Hot Chips 2026 трёхэтапный план развития HBM, который заканчивается архитектурой zHBM. В современных системах стек HBM располагается рядом с GPU или ускорителем и соединяется с ним промежуточной платой.
Новая архитектура должна превратить HBM из высокоскоростной памяти рядом с ускорителем в часть самого вычислительного чипа
Начиная с HBM4 Samsung использует для базового кристалла 4-нм техпроцесс, что не только уменьшает площадь и энергопотребление, но и даёт полноценный логический слой непосредственно под стеком памяти.
Следующие поколения должны использовать этот слой активнее: часть операций, которые сейчас выполняются процессором, будет переноситься в логику HBM. Это позволит обрабатывать данные ближе к месту их хранения и сократить их перемещение между памятью и вычислительным блоком. В конечной конфигурации zHBM компания предлагает отказаться и от горизонтального расположения: стек DRAM будет находиться непосредственно над вычислительным кристаллом, формируя единую трёхмерную структуру.
Источник изображения: Samsung
Такой подход может решить одну из главных проблем современных ИИ-ускорителей — снизить затраты на передачу данных. Уже HBM4 обеспечивает порядка 1–5 ТБ/с пропускной способности в зависимости от реализации, а дальнейшее увеличение соединений и частот становится всё сложнее и энергозатратнее. Однако перенос DRAM непосредственно на процессор создаёт другую проблему: память окажется над чрезвычайно горячим кристаллом, способным выделять сотни ватт.
Пока zHBM остаётся концепцией без объявленных сроков коммерческого запуска. Samsung фактически показывает направление развития HBM: память постепенно должна перестать быть пассивным хранилищем данных и получить собственную вычислительную логику, а в перспективе — стать физической частью процессора. В первую очередь технология рассчитана на ИИ и HPC-ускорители.