Дефицит памяти прогнозируют до 2030 года: SK Hynix начнёт выпуск HBM4E на новом заводе в 2029 году
Компания рассчитывает превратить предприятие в Индиане в ключевую американскую базу по выпуску передовой памяти для ИИ
Южнокорейская SK Hynix начала строительство крупного предприятия в американском штате Индиана, где планирует развернуть производство и упаковку передовой памяти HBM. Инвестиции в проект превысят $4 млрд, а массовый выпуск следующего поколения HBM4E намечен на третий квартал 2029 года.
Предприятие расположено в исследовательском парке Purdue Research Park в городе Уэст-Лафайет. Чистые помещения здесь должны начать работу во второй половине 2028 года. В дальнейшем завод сможет выпускать сотни тысяч кремниевых пластин в год.
Производственная цепочка будет разделена между США и Южной Кореей. Передовые кристаллы памяти будут производиться в Корее, после чего отправляться в Индиану для упаковки и тестирования. Готовые микросхемы предназначены прежде всего для американских заказчиков, включая Nvidia, Microsoft и Google.
Источник изображения: Reuters/Jim Vondruska
Глава SK Hynix Квак Но-джонг заявил, что компания пока не видит признаков скорого спада спроса на память и ожидает сохранения дефицита до конца 2030 года. По его мнению, даже возможное замедление рынка будет связано скорее с умеренным снижением темпов роста, чем с резким падением спроса.
HBM представляет собой многослойную память, в которой несколько кристаллов размещаются друг над другом. Благодаря высокой пропускной способности и меньшему энергопотреблению такая память стала одним из ключевых компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Рост инвестиций в ИИ сделал HBM одним из главных источников роста для производителей памяти.